Prof. IWC PAN Sergey L. Rumyantsev tytuł magistra uzyskał w Leningradzkim Instytucie Elektrotechnicznym w Rosji w 1977 r. Doktorat z fizyki obronił w 1986 roku w Leningradzkim Instytucie Politechnicznym, zaś habilitację w Instytucie Fizyki i Technologii im. A. F. Ioffe w 1996 r. W latach 1977 – 1980 pracował w Instytucie Fizyki i Technologii im. A. F. Ioffe w Petersburgu oraz od 1977 do 1989 roku w Korporacji Przemysłowej i Naukowej „Svetlana”. Następnie do roku 2018 był zatrudniony w Instytucie Fizyki i Technologii im. A.F. Ioffe, a w latach 1999-2018 jako profesor  w Rensselaer Polytechnic Institute w USA. Od 2018 r. pracuje w projekcie MAB CENTERA. Opublikował 200 artykułów w recenzowanych czasopismach naukowych. Prezentował swoje osiągnięcia jako Plenary Speaker, Invited Speaker oraz Keynote Speaker lub współautor referatów na ponad 200 konferencjach międzynarodowych. Jest autorem oraz współautorem 7 książek. Jego specjalizacja obejmuje: elektronikę na bazie węgla (grafen i nanorurki węglowe), elektronikę terahercową, półprzewodniki szerokopasmowe (SiC, GaN), szum w urządzeniach mikrofalowych i optycznych, wykrywanie gazu, materiały van der Waalsa, mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe oraz urządzenia mocy RF na SiC i GaN.