Prof. IWC PAN Sergey Ganichev otrzymał tytuł magistra i doktora Leningradzkiego Instytutu Politechnicznego w Rosji odpowiednio w latach 1980 i 1984. W 1997 roku uzyskał stopień doktora habilitowanego Instytutu Fizyko-Technicznego A.F. Ioffe w Petersburgu, a w roku 2002 na Uniwersytecie w Ratyzbonie. W latach 1980–2005 pracował w Instytucie A.F. Ioffe w Petersburgu. W latach 1992-1994 był stypendystą programu Alexandra von Humbolda na Uniwersytecie Technicznym w Monachium. W 1992 roku podjął pracę w Instytucie Fizyki Doświadczalnej i Stosowanej na Uniwersytecie w Ratyzbonie w Niemczech. Jego zainteresowania badawcze obejmują: zjawiska nierównowagowe i nieliniowe w półprzewodnikach wzbudzanych intensywnymi terahercowymi polami elektrycznymi laserów dalekiej podczerwieni o dużej mocy, tunelowanie i zjawiska fotoelektryczne w półprzewodnikach i strukturach półprzewodnikowych, podgrzewanie gazu elektronowego promieniowaniem, detektory promieniowania podczerwonego, molekularne lasery gazowe i spektroskopię terahercową. Jego działalność naukową uhonorowano w 1990 r. Nagrodą A.F. Ioffe za serię prac: „Spektroskopia submilimetryczna półprzewodników o wysokim poziomie wzbudzenia”, w 1999 r. otrzymał I. nagrodę i medal Frenkela za prace nad: „Jonizacją tunelową głębokich zanieczyszczeń w półprzewodnikach za pomocą pól terahercowych”, a w 2002 r. nagrodę Best Research Award Rady Naukowej Instytutu Ioffe za pracę nad „Efektami foto i spin-galwanicznymi w nanostrukturach półprzewodnikowych”.