Prof. dr hab. inż. Thomas Skotnicki w latach 1985–1999 pracował w laboratoriach badawczych France Telecom. W roku 1999  dołączył do firmy STMicroelectronics, gdzie uzyskał status pierwszego “Company Fellow” oraz pełnił rolę pierwszego “Technical Vice-President”. Opracował nowatorską technologię FDSOI UTBB, która dziś jest wykorzystywana przez globalne firmy elektroniczne:  STMicroelectronics, GF i Samsung. Obecnie pełni kilka funkcji: jest Liderem Grupy Badawczej nr 5 w projekcie MAB CENTERA (Międzynarodowa Agenda Badawcza), Profesorem Instytutu Wysokich Ciśnień PAN, a także Politechniki Warszawskiej. Posiada 80 patentów. Jest autorem prawie 500 artykułów naukowych z dziedziny technologii CMOS oraz pozyskiwania energii z otoczenia (energy harvesting) oraz kilku rozdziałów książek. Nadzorował także 34 rozprawy doktorskie. Jego modele/oprogramowanie MASTAR były wykorzystywane przez ITRS przez 12 kolejnych edycji do obliczeń tzw. „roadmaps- map drogowych” CMOS. Posiada prestiżowy tytuł “Fellow” w największym międzynarodowym stowarzyszeniu profesjonalistów z dziedziny elektroniki i elektryki IEEE. Przez 8 lat pełnił funkcję redaktora IEEE TED, zasiadał w komitetach nadających nagrody IEEE J.J. Ebers i Frederik Philips, a także w komitetach organizacyjnych wszystkich dużych konferencji w swojej dziedzinie m.in.: IEDM, sympozja VLSI, ESSDERC, ICSICT, ECS itp.